基本信息
专利号:CN2024105582267
专利类型:发明
授权公告号:CN2024105582267
授权公告日:2024-07-02
证书号:第7284209号
交易方式:
专利状态:已下证
发明人:李景灏,陈辉,丁文建,施贻蒙 李军
专利权人:杭州飞仕得科技股份有限公司
所需资料
技术问题
[0005]本申请的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种有源驱动电路以及可靠性试验装置,以解决现有技术中SiC MOSFET驱动电路并不能满足可靠性试验的指标要求的问题
技术功效
[0033]本申请的有益效果是:通过控制第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及第二反偏单元,对正电压源单元和负电压源单元提供的驱动电压进行调整,从而在待测器件门极形成持续时间极短的正高电压脉冲或负高电压脉冲,在提供瞬时大电流的同时实现对电流的快速控制,有效的增大了开通、关断过程中的瞬态驱动电流,以满足门极可靠性试验中的门极电压变化率要求。